იზოლირებულ ჩამკეტიანი ბიპოლარული ტრანზისტორის, (IGBT), ოპტიმალური SPICE მოდელი, ნახევარგამტარული ფენების, არაწრფივი წინაღობების გათვალისწინებით.

ავტორი: ბადრი ხვიტია
თანაავტორები: ა.გეონჯიანი,ზ.კუჭაძე,თ.ინჯგია,რ.ჯობავა.
საკვანძო სიტყვები: IGBTტრანზისტორი; ძალოვანი ელექტრონიკა; ელექტრომობილი; მოდელირება.
ანოტაცია:

ნაშრომში განხილულია IGBT ტრანზისტორის SPICE მოდელის შექმნის მეთოდი. მოდელში გათვალისწინებულია არაწრფივი უარყოფითი უკუკავშირი რომელიც წარმოიქმნება ემიტერთან არსებულ ნახევარგამტარულ ფენებში.ასეთი არაწრფივი უკუკავშირის შემოღება საშუალებას გვაძლევს საკმაოდ ზუსტად ავღწეროთ ტრანზისტორის დინამიური მახასიათებლები. მოდელის შესაქმნელად საჭირო პარამეტრების, საწყისი მნიშვნელობები, აღებულია ქარხნული მონაცემებიდან და შემდგომ ხდება მათი დაზუსტება სპეციალურად დამზადებულ სატესტო ბეჭდვითი დაფაზე ჩატარებული გაზომვებით. ექსპერიმენტული დანადგარის საშუალებით, სხვადასხვა ტიპის ტრანზისტორებისათვის ჩატარებული იქნა გაზომვები განსხვავებული შემავალი ძაბვისათვის. ნაჩვენებია გაზომვებისა და მოდელირების შედარებებითი გრაფიკები.