მიკრო – ნანო ელემენტების და მასალების მიღება და კვლევა

ავტორი: ამირან ბიბილაშვილი
თანაავტორები: ზ. ჯიბუტი და ზ. ყუშიტაშვილი
საკვანძო სიტყვები: მემრისტორი, ოქსიდი, მეგნეტრონი, პლაზმა
ანოტაცია:

მოცემულია მემრისტორის მიღების მარშრუტი აქტიური შრით ჰაფნიუმის ოქსიდების საფუძველზე და შესწავლილია სხვადასხვა პროცენტული შედგენილობის ჟანგბადის შემცველობა ოქსიდებში. გამოკვლეულია მათი ვოლტ–ფარადული და ვოლტ–ამპერული მახასიათებლები, ჩატარებულია ოქსიდების რენტგენო–სტრუქტურული ანალიზი. ქარხნულ მემრისტორის პარამეტრებთან შედარებიდან გაკეთებულია დასკვნა, რომ მიღებული მემრისტორის გამოყენება შესაძლებელია ნანოხელსაწყოებში. მოცემულია GaN –ის მიღების პროცესში მისი ლეგირების ტექნოლოგია. სესწავლილია GaN –ის პარამეტრები სხვადასხვა ტექნოლოგიური პირობებისთვის და ნაჩვენებია შესაძლებლობა ძნელად მისაღები p-ტიპის ფორმირებისათვის. მოცემულია p-GaN–ის ზოგიერთი ელექტრო–ფიზიკური პარამეტრები. ნაჩვენებია მისი გამოყენება დიოდების და ტრანზისტორების შესაქმნელად.

მიმაგრებული ფაილები:

თსუ კონფცVI [ka]